规格书 |
SPI20N60CFD |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 | |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 20.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 220 mOhm @ 13.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 124nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 208W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 20.7A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 220 mOhm @ 13.1A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 208W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2400pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 124nC @ 10V |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 20.7 A |
零件号别名 | SP000229995 SPI20N60CFDHKSA1 |
下降时间 | 6.4 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | CoolMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 59 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | SPI20N60 |
RDS(ON) | 220 mOhms |
功率耗散 | 208 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 15 ns |
漏源击穿电压 | 600 V |
associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
SPI20N60CFD也可以通过以下分类找到
SPI20N60CFD相关搜索
咨询QQ
热线电话